X 射線光電子能譜檢測

更新時間▩✘： 2021-03-15
產品型號▩✘：
簡單描述
1. 該系統透過測量不同元素的芯能級·◕☁·↟，能夠實現高精度的元素和價態分析☁☁✘◕。
2. 該系統使用X-射線作為光源·◕☁·↟，能夠採集較大束縛能範圍的光電子能譜資料·◕☁·↟，實現對材料電子結構的完整表徵☁☁✘◕。
3. 該系統具備微區分析功能·◕☁·↟，可以針對微米級別的特定區域開展元素組分與電子結構分析·◕☁·↟，是目前觀測薄膜樣品元素和價態分佈·◕☁·↟，進而探索其生長機理的工具之一
X 射線光電子能譜檢測

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詳細介紹

X 射線光電子能譜檢測

專案	細則	收費	說明
手套箱進樣	空氣敏感樣品測試	400元/樣	/
XPS譜圖測試	寬譜和窄譜的掃描	寬譜▩✘：280 元/樣；窄譜▩✘：140 元/樣	每超過30min 按新樣算
XPS成像測試	選區和成像掃描測試時間≤1h	840元/樣	每超過1h 按 1 個新樣算
深度剖析	Ar 離子刻蝕加元素窄掃或成像	每層按 2 個樣算 +150 元/次刻蝕費	刻蝕時間 5min/次

X 射線光電子能譜檢測

主要規格及技術指標

1▩↟·•·、本底真空度優於5*10-10mbar；

2▩↟·•·、單色化AlKαX射線源·◕☁·↟，光斑尺寸200-900um·◕☁·↟，大光斑極限解析度0.43eV；

3▩↟·•·、XPS能譜分析尺寸20-900um·◕☁·↟，平行成像精度1um；

4▩↟·•·、雙極性半球形分析器·◕☁·↟，可採集ISS離子散射譜·◕☁·↟，能量解析度優於12eV；

5▩↟·•·、配備同軸/離軸雙電子槍·◕☁·↟，可用於磁性和非磁性絕緣樣品的荷電中和測量·◕☁·↟，能量解析度0.68eV；

6▩↟·•·、配有Ar離子刻蝕和團簇離子刻蝕·◕☁·↟，可用於不同敏感性材料的深度剖析；

7▩↟·•·、配有反射電子能量損失譜（REELS）,可用於氫元素的定量分析；

8▩↟·•·、配有俄歇光電子能譜分析（AES）·◕☁·↟，空間解析度可達95nm·◕☁·↟，並能夠實現相應的形貌表徵功能（SEM）☁☁✘◕。

主要功能及特色

1. 該系統透過測量不同元素的芯能級·◕☁·↟，能夠實現高精度的元素和價態分析☁☁✘◕。
2. 該系統使用X-射線作為光源·◕☁·↟，能夠採集較大束縛能範圍的光電子能譜資料·◕☁·↟，實現對材料電子結構的完整表徵☁☁✘◕。
3. 該系統具備微區分析功能·◕☁·↟，可以針對微米級別的特定區域開展元素組分與電子結構分析·◕☁·↟，是目前觀測薄膜樣品元素和價態分佈·◕☁·↟，進而探索其生長機理的工具之一

主要附件配置

1▩↟·•·、單色化AlKαX射線源·◕☁·↟，光子能量1486.6eV;

2▩↟·•·、雙極性半球形分析器·◕☁·↟，可採集ISS離子散射譜·◕☁·↟，用於超薄表面的元素鑑定和同位素鑑定；
3▩↟·•·、配備同軸/離軸雙電子槍·◕☁·↟，可用於磁性和非磁性絕緣樣品的荷電中和測量；
4▩↟·•·、配有Ar離子刻蝕和團簇離子刻蝕·◕☁·↟，可用於不同敏感性材料的深度剖析；
5▩↟·•·、配有反射電子能量損失譜（REELS）,可用於H元素的分析；
6▩↟·•·、配有俄歇光電子能譜分析（AES）·◕☁·↟，空間解析度可達95nm·◕☁·↟，並能夠實現相應的形貌表徵功能（SEM）；

7▩↟·•·、配有角分辨ARXPS,用於10nm以內各深度的無損XPS分析☁☁✘◕。

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